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参数资料
| 型号： | FDP18N20F |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220 Pkg |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 145 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1180pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 100W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
Figure 10-2. Transient Thermal Response Curve - FDPF18N20FT
2
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
P DM
*Notes:
t 1
t 2
1. Z θ JC (t) = 3.0 C/W Max.
0.01
Single pulse
o
2. Duty Factor, D= t 1 /t 2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
10
10
10
10
10
10
10
10
-5
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
-4
-3 -2 -1 0
, 1
Rectangular Pulse Duration [sec]
5
1
2
www.fairchildsemi.com
FDP18N20F / FDPF18N20FT Rev. C1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP19N40 | MOSFET N-CH 400V 19A TO-220 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP18N50 | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP18N50_0704 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
| FDP18T | 制造商:ADAM-TECH 制造商全称:Adam Technologies, Inc. 功能描述:IDC DIP & TRANSITION PLUGS .100 [2.54] CENTERLINE |
| FDP19N40 | 功能描述:MOSFET UniFET, 400V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP19N40_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 400V, 19A, 0.24?? |
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