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参数资料
| 型号： | FDP2552 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 37A TO-220AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 37A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 36 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 51nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FDP2552-ND FDP2552FS |
October 2013
FDP2552
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
150 V, 37 A, 3 6 m Ω
Features
? R DS(on) = 32 m ? ( Typ.) @ V GS = 10 V, I D = 16 A
? Q G(tot) = 39 nC ( Typ.) @ V GS = 10 V
? Low Miller Charge
? Low Q rr Body Diode
? UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
Applications
? Consumer Appliance s
? Synchronous Rectificatio n
? Battery Protection Circui t
? Motor drives and Uninterruptible Power Supplie s
? Micro Solar Inverte r
Formerly developmental type 82 869
D
GD
S
TO-220
G
S
MOSFET Maximum Ratings T C = 25°C unless otherwise noted
Derate above 25 C
C
Symbol
V DSS
V GS
I D
E AS
P D
T J , T STG
Parameter
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current
Continuous (T C = 25 o C, V GS = 10V)
Continuous (T C = 100 o C, V GS = 10V)
Continuous (T amb = 25 o C, V GS = 10V) with R θ JA = 43 o C/W
Pulsed
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)
Power dissipation
o
Operating and Storage Temperature
FDP2552
150
± 20
37
26
5
Figure 4
390
150
1 .0
-55 to 175
Unit
V
V
A
A
A
A
mJ
W
W/ o C
o
Thermal Characteristics
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance Junction to Case, Max.
Thermal Resistance Junction to Ambient (Note 2), Max.
1.0
62
o
o
C/W
C/W
? 200 2 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP2552 Rev. C 1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP2572 | MOSFET N-CH 150V 29A TO-220AB |
| FDP2614 | MOSFET N-CH 200V 62A TO-220 |
| FDP26N40 | MOSFET N-CH 400V 26A TO-220 |
| FDP2710 | MOSFET N-CH 250V 50A TO-220 |
| FDP33N25 | MOSFET N-CH 250V 33A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP2552_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 150V, 37A, 36m?? |
| FDP2552_NL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDP2552_Q | 功能描述:MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP2570 | 功能描述:MOSFET TO-220 N-CH 150V 22A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP2570_Q | 功能描述:MOSFET TO-220 N-CH 150V 22A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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