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参数资料
| 型号： | FDP2614 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 62A TO-220 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220 Pkg |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 62A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 27 毫欧 @ 31A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 99nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7230pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 260W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDP2614-ND FDP2614FS |
October 2013
FDP2614
N-C hannel PowerTrench ? MOSFET
200 V, 62 A, 2 7 m ?
Features
? R DS(on) = 22.9 m Ω ( Typ.)@ V GS = 10 V, I D = 31 A
? Fast Switching Speed
? Low Gate Charge
? High Performance Trench technology for Extremely Low
R DS(on)
? High Power and Current Handing Capability
? RoHS Compliant
General Description
This N-Channel MOSFET is producedusing Fairchild Semicon-
ductor’s advanced PowerTrench ? process that has been tai-
lored to minimize the on-state resistance while maintaining
superior switching performance.
Applications
? Consumer Appliances
? Synchronous Rectification
? Battery Protection Circuit
? Motor Drives and Uninterruptible Power Supplies
D
GD
S
Absolute Maximum Ratings
TO-220
T C = 25°C unless otherwise noted
G
S
Symbol
V DS
V GS
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Parameter
FDP2614
200
± 30
Unit
V
V
I D
Drain Current
- Continuous (T C = 25 ° C)
- Continuous (T C = 100 ° C)
62
39.3
A
A
I DM
Drain Current
- Pulsed
(Note 1)
see Figure 9
A
E AS
dv/dt
Single Pulsed Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
(Note 2)
(Note 3)
145
4.5
mJ
V/ns
P D
Power Dissipation
(T C = 25 ° C)
- Derate above 25 ° C
260
2.1
W
W/ ° C
T J, T STG
T L
Operating and Storage Temperature Range
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,
1/8” from Case for 5 Seconds
-55 to +150
300
° C
° C
Thermal Characteristics
Symbol
R θ JC
R θ JA
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case, Max.
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient, Max.
FDP2614
0.48
62.5
Unit
° C/W
° C/W
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP2614 Rev. C3
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP2670 | 功能描述:MOSFET 200V NCh PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP2670_Q | 功能描述:MOSFET 200V NCh PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP26N40 | 功能描述:MOSFET 400V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP2710 | 功能描述:MOSFET 250V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP2710_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 250V, 50A, 47m?? |
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