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参数资料
| 型号： | FDP3672 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 105V 41A TO-220AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220AB |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 105V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 41A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 33 毫欧 @ 41A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 37nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1670pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 135W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
November 2013
FDP3672
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
105 V, 41 A, 33 m Ω
Features
? R DS(on) = 2 5 m ? ( Typ.) @ V GS = 10 V, I D = 41 A
? Q G(tot) = 2 8 nC ( Typ.) @ V GS = 10 V
? Low Miller Charge
? Low Q rr Body Diode
? Optimized Efficiency at High Frequencies
Applications
? Consumer Appliances
? Synchronous Rectification
? Battery Protection Circui t
? Motor drives and Uninterruptible Power Supplie s
? Micro Solar Inverter
? UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
Formerly developmental type 82 7 60
D
GD
S
TO-220
G
S
MOSFET Maximum Ratings T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Parameter
FDP367 2
105
± 20
U nit
V
V
Drain Current
Continuous (T C = 25 o C, V GS = 10V)
41
A
C
I D
E AS
P D
T J , T STG
Continuous (T C = 100 o C, V GS = 10V)
Continuous (T amb = 25 o C, V GS = 10V, R θ JA = 62 o C/W)
Pulsed
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)
Power dissipation
Derate above 25 o C
Operating and Storage Temperature
31
5.9
Figure 4
48
135
0.9
-55 to 175
A
A
A
mJ
W
W/ o C
o
Thermal Characteristics
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Case, Max.
Thermal Resistance, Junction to Ambient, Max. (Note 2)
1.11
62
o
o
C/W
C/W
? 200 2 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP3672 Rev. C2
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP3682 | MOSFET N-CH 100V 32A TO-220AB |
| FDP39N20 | MOSFET N-CH 200V 39A TO-220 |
| FDP51N25 | MOSFET N-CH 250V 51A TO-220 |
| FDP5500 | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220AB |
| FDP5800 | MOSFET N-CH 60V 14A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP3672_NL | 制造商:Fairchild 功能描述:105V/41A N-CH MOSFET |
| FDP3682 | 功能描述:MOSFET 100V 32a .36Ohm/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP3682 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDP3682_Q | 功能描述:MOSFET 100V 32a .36Ohm/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP3682_SB82034 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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