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参数资料
| 型号： | FDP5800 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 14A TO-220 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220 Pkg |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 145nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9160pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 242W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
December 2013
FDP5800
N-Channel Logic Level PowerTrench ? MOSFET
60 V, 80 A, 6 m Ω
Features
? R DS(on) = 4.6 m Ω (Typ.) @ V GS = 10 V, I D = 80 A
? High Performance Trench Technology for Extermly Low
R DS(on)
? Low Gate Charge
? High Power and Current Handing Capability
? RoHS Compliant
Description
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild
Semiconductor ’s advanced PowerTrench ? process that has
been tailored to minimize the on-state resistance while main-
taining superior switching performance.
Applications
? Power Tools
? Motor Drives and Uninterruptible Power Supplies
? Synchronous Rectification
? Battery Protection Circuit
D
GD
S
TO-220
G
S
MOSFET Maximum Ratings T C = 25°C unless otherwise noted.
Symbol
V DSS
Drain-Source Voltage
Parameter
FDP5800
60
Unit
V
V GSS
I D
I DM
Gate-Source Voltage
Drain Current
Drain Current
- Continuous (T C = 25 o C)
- Continuous (T C = 100 o C)
- Continuous (T A = 25 o C)
- Pulsed
±20
80
80*
14
320
V
A
A
A
A
E AS
P D
T J , T STG
Single Pulsed Avalanche Energy
Power Dissipation (T C = 25 o C)
- Derate Above 25 o C
Operating and Storage Temperature Range
(Note 1)
652
242
1.61
-55 to +175
mJ
W
W/ ° C
° C
*Drain current limited by package.
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
FDP5800
Unit
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Case, Max.
Thermal Resistance, Junction to Ambient, Max.
0.62
62.5
o
C/W
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP5800 Rev. C2
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP5N50 | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDP5N50NZ | 功能描述:MOSFET N-Chan UniFET2 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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