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参数资料
| 型号： | FDP5800 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 14A TO-220 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220 Pkg |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 145nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9160pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 242W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
Package Marking and Ordering Information
Part Number
FDP5800
Top Mark
FDP5800
Package
TO-220
Packing Method
Tube
Reel Size
N/A
Tape Width
N/A
Quantity
50 units
Electrical Characteristics T C = 25°C unless otherwise noted.
Symbol
Parameter
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Off Characteristics
B VDSS
Drain-Source Breakdown Voltage
I D = 250 μ A, V GS = 0 V, T J =25 o C
60
--
--
V
I DSS
Zero Gate Voltage Drain Current
V DS = 48 V
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
--
--
--
--
1
500
μ A
μ A
I GSS
Gate-Body Leakage Current, Forward
V GS = ±20 V, V DS = 0 V
--
--
±100
nA
On Characteristics
V GS(th)
R DS(on)
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On Resistance
V GS = V DS , I D = 250 μ A
V GS = 10 V , I D = 80 A
V GS =4.5 V , I D = 80 A
V GS = 5 V , I D = 80 A
V GS =10 V, I D = 80 A,
T J = 175 o C
1.0
--
--
--
--
--
4.6
5.9
5.6
10.4
2.5
6.0
7.2
7.0
12.6
V
m Ω
m Ω
m Ω
m Ω
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
R G
Q g(TOT)
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate Resistance
Total Gate Charge at 10V
V DS = 15 V,V GS = 0 V,
f = 1 MHz
V GS = 0.5 V, f = 1 MHz
V GS = 0 V to 10 V
--
--
--
--
--
6890
750
295
1.2
112
9160
1000
445
--
145
pF
pF
pF
Ω
nC
Q g(TH)
Q g(TH)
Q gs
Q gs2
Q gd
Total Gate Charge at 5V
Threshold Gate Charge
Gate to Source Gate Charge
Gate Charge Threshold to Plateau
Gate to Drain “Miller” Charge
V GS = 0 V to 5 V
V GS = 0 V to 1 V
V DS = 30 V,
I D = 80 A,
I g = 1 mA
--
--
--
--
--
58
7.0
23
13
18
--
--
--
--
--
nC
nC
nC
nC
nC
Switching Characteristics (V GS = 10V)
t ON
Turn-On Time
--
37
85
ns
t d(on)
t r
t d(off)
t f
t OFF
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
Turn-Off Time
V DD = 30 V, I D = 80 A,
V GS = 10 V, R G = 1.5 Ω
--
--
--
--
--
18
19
55
9
64
46
47
120
28
138
ns
ns
ns
ns
ns
Drain-Source Diode Characteristics
V SD
t rr
Q rr
Drain-Source Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
V GS = 0 V, I SD = 80 A
V GS = 0 V, I SD = 40 A
V GS = 0 V, I SD = 60 A,
dI F /dt = 100 A/ μ s
--
--
--
--
--
--
58
106
1.25
1.0
--
--
V
V
ns
nC
Notes:
1: L = 1 mH, I AS = 36 A, V DD = 54 V, V GS = 10 V, R G = 25 Ω , Starting T J = 25 o C
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP5800 Rev. C2
2
www.fairchildsemi.com
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参数描述 |
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