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参数资料
| 型号： | FDP5800 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 14A TO-220 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220 Pkg |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 145nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9160pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 242W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
400
* Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
1000
V DS = 6V
2. T C = 25 C
150 C
100
o
100
o
25 C
V GS
10
o
Top :
10.0 V
-55 C
10
5.0 V
4.5 V
4.0 V
1
o
3.5 V
5
0.03
Bottom : 3.0 V
0.1 1
V DS ,Drain-Source Voltage[V]
3
0.1
1
2 3 4
V GS ,Gate-Source Voltage[V]
5
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
5.5
1000
V GS = 0V
150 C
5.0
V GS = 10V
100
o
25 C
o
4.5
V GS = 20V
10
* Note : T J = 25 C
4.0
0
40
80 120 160
I D , Drain Current [A]
o
200
1
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
1.4
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10000
9000
7500
C iss
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
10
8
V DS = 25V
V DS = 35V
V DS = 50V
6000
6
4500
3000
1500
C oss
C rss
* Note:
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
4
2
10
10
10
100
-1
0
1
30
0
0
20
* Note : I D = 80A
40 60 80 100
120
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP5800 Rev. C2
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FDP5N50F_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 4.5A, 1.55?? |
| FDP5N50NZ | 功能描述:MOSFET N-Chan UniFET2 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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