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参数资料
| 型号： | FDP5800 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 14A TO-220 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220 Pkg |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 145nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9160pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 242W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
1.1
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
2.4
2.0
1.6
1.0
1.2
0.9
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.8
-100
* Notes :
1. V GS = 0V
2. I D = 250 μ A
-50 0 50 100 150 200
o
0.8
0.4
-80
-40
* Notes :
1. V GS = 10V
2. I D = 80A
0 40 80 120 160 200
o
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
500
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
125
100
10
Operation in This Area
100 μ s
1ms
10ms
100ms
100
75
CURRENT LIMITED
BY PACKAGE
1
is Limited by R DS(on)
DC
50
SINGLE PULSE
T C = 25 C
T J = 175 C
R θ JC = 0.62 C/W
0.1
o
o
o
25
T C , Case Temperature [ C ]
0.01
0.1
1 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
100
0
25
50
75 100 125 150
o
175
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
P DM
0.01
t 1
t 2
1. Z θ JC (t) = 0.62 C/W Max.
0.01
Single pulse
* Notes :
o
2. Duty Factor, D=t 1 /t 2
10
10
10
10
10
10
10
10
1E-3
-5
-4
-3
-2
-1
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
0 1
2
t 1 , Square Wave Pulse Duration [sec]
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP5800 Rev. C2
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP5N50 | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP5N50_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET |
| FDP5N50F | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 4.5A, 1.55ヘ |
| FDP5N50F_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 4.5A, 1.55?? |
| FDP5N50NZ | 功能描述:MOSFET N-Chan UniFET2 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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