- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录424 > FDP3651U (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDP3651U |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220AB |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 69nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5522pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 255W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
October 2013
FDP3651U
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
1 0 0 V, 80 A, 18 m Ω
Features
? R DS(on) = 1 5 m ? ( Typ.) @ V GS = 10 V, I D = 80 A
? High Performance Trench Technology for Extremely
Low R DS(on)
? Low Miller Charge
? UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
Applications
? Consumer Appliances
? Synchronous Rectification
? Battery Protection Circui t
? Motor drives and Uninterruptible Power Supplie s
? Micro Solar Inverter
D
GD
S
TO-220
G
S
MOSFET Maximum Ratings T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GSS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Parameter
FDP3651U
100
±20
Unit
V
V
I D
P D
E AS
T J , T STG
T L
Drain Current - Continuous
- Pulsed
Power Dissipation
Single Pulsed Avalanche Energy
Operating and Storage Temperature
Maximum lead temperature soldering purposes,
1/8” from case for 5 seconds
(Note 1)
(Note 2)
80
3 20
255
266
-55 to 175
300
A
W
mJ
° C
° C
Thermal Characteristics
R θ JA
R θ JC
Thermal Resistance , Junction to Ambient, Max.
Thermal Resistance , Junction to Case, Max.
62
0.59
° C/W
° C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDP3651U
Device
FDP3651U
Reel Size
Tube
Tape Width
N/A
Quantity
50 units
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP3651U Rev. C1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP3672 | MOSFET N-CH 105V 41A TO-220AB |
| FDP3682 | MOSFET N-CH 100V 32A TO-220AB |
| FDP39N20 | MOSFET N-CH 200V 39A TO-220 |
| FDP51N25 | MOSFET N-CH 250V 51A TO-220 |
| FDP5500 | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP3652 | 功能描述:MOSFET 100V 61a 0.016 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP3652 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220 |
| FDP3652_NL | 制造商:Fairchild 功能描述:100V/61A N-CH MOSFET |
| FDP3652_Q | 功能描述:MOSFET 100V 61a 0.016 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP3672 | 功能描述:MOSFET 105V 41a 0.033 Ohms/VGS=10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。