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参数资料
| 型号： | FDP3651U |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220AB |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 69nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5522pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 255W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
Electrical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
BV DSS
Drain to Source Breakdown Voltage
I D = 250 μ A, V GS = 0V
100
-
-
V
I DSS
I GSS
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate to Source Leakage Current
V DS = 80V
V GS = 0V
V GS = ±20V
T C =150 ° C
-
-
-
-
-
-
1
250
±100
μ A
μ A
nA
On Characteristics
V GS(th)
Gate to Source Threshold Voltage
V GS = V DS , I D = -250 μ A
3.5
4.5
5.5
V
V GS = 10V , I D = 80A
-
15
18
r DS(on)
Drain to Source On Resistance
V GS = 10V , I D = 40A
V GS =10V, I D =40A,T J =175 o C
-
-
13
32
15
37
m ?
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V DS = 25V,V GS = 0V
f=1MHz
-
-
-
4152
485
89
5522
728
118
pF
pF
pF
Q g(TOT)
Q g(TH)
Q gs
Q gd
Total Gate Charge
Threshold Gate Charge
Gate to Source Gate Charge
Gate to Drain Charge
V GS = 0V to 10V
V GS = 0V to 2V
V DD = 50V
I D = 80A
-
-
-
-
49
7
23
16
69
9.8
-
-
nC
nC
nC
nC
Resistive Switching Characteristics
t (on)
Turn-On Time
-
-
64
ns
t d(on)
t r
t d(off)
t f
t (off)
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Turn-Off Time
V DD = 50V, I D = 80A
V GS = 10V, R GS = 5.0 ?
-
-
-
-
-
15
16
32
14
-
27
29
52
26
78
ns
ns
ns
ns
ns
Drain-Source Diode Characteristics
V SD
t rr
Q rr
Source to Drain Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
I SD = 80A
I SD = 40A
I s = 40 A, di/dt = 100A/ μ s
-
-
-
-
0.99
0.88
70
202
1.25
1.0
105
303
V
V
ns
nC
Notes:
1. Repetitive Rating : Pulse width limited by maximum junction temperature
2. L=0.13mH, I AS = 64A, V DD =50V, R G =25 ? , Starting T J =25 o C
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP3651U Rev. C1
2
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| FDP3652 | 功能描述:MOSFET 100V 61a 0.016 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP3652 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220 |
| FDP3652_NL | 制造商:Fairchild 功能描述:100V/61A N-CH MOSFET |
| FDP3652_Q | 功能描述:MOSFET 100V 61a 0.016 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP3672 | 功能描述:MOSFET 105V 41a 0.033 Ohms/VGS=10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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