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参数资料
| 型号： | FDP3651U |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220AB |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 69nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5522pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 255W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Characteristics T C = 25°C unless otherwise noted
120
100
80
V GS = 20V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS = 10V
V GS = 8V
5
4
3
V GS = 7V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS = 8V
60
2
40
V GS = 10V
20
V GS = 7V
1
V GS = 20V
0
0
1 2 3
4
5
0
0
20
40
60
80
100
120
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
2.8
I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance vs Drain
Current and Gate Voltage
60
2.4
I D = 80A
V GS = 10V
50
I D = 80A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
2.0
1.6
40
30
T J = 175 o C
1.2
0.8
20
10
T J = 25 o C
0.4
-80
-40
0
40
80
120
160
200
0
8
10
1 2
1 4
16
1 8
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On Resistance vs Junction
Temperature
120
PULSE DURATION = 80 μ s
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to Source
Voltage
1000
V GS = 0V
100
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
100
80
60
T J = 175 o C
10
1
T J = 175 o C
40
20
T J = 25 o C
T J = -55 o C
0.1
0.01
T J = 25 o C
T J = -55 o C
0
2
4
6
8
10
1E-3
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode Forward
Voltage vs Source Current
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP3651U Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP3672 | MOSFET N-CH 105V 41A TO-220AB |
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| FDP5500 | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP3652 | 功能描述:MOSFET 100V 61a 0.016 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP3652 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220 |
| FDP3652_NL | 制造商:Fairchild 功能描述:100V/61A N-CH MOSFET |
| FDP3652_Q | 功能描述:MOSFET 100V 61a 0.016 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP3672 | 功能描述:MOSFET 105V 41a 0.033 Ohms/VGS=10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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