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参数资料
| 型号： | FDP3651U |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220AB |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 69nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5522pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 255W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Characteristics T C = 25°C unless otherwise noted
10
8
V DD = 45V
V DD = 50V
V DD = 55V
10000
1000
C iss
C oss
6
4
2
100
f = 1MHz
V GS = 0V
C rss
0
0
10
20
3 0
40
50
60
10
0.1
1
10
100
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain to Source Voltage
100
100
PACKAGE MAY LIMIT
CURRENT IN THIS REGION
80
60
VGS=10V
10
T J = 25 o C
40
VGS=8V
T J = 150 o C
20
10
10
10
10
10
10
10
1
- 3
- 2
-1
0
1
2
3
0
25
50
75 100 125 150
175
t AV , TIME IN AVALANCHE(ms)
Figure 9. Unclamped Inductive Switching
Capability
TC, CASE TEMPERATURE ( oC )
Figure 10. Maximum Continuous Drain Current vs
Ambient Temperature
10
500
100
10us
5
V GS = 10V
T C = 25 o C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
10
175 – T c
10
10
1
OPERATION IN THIS
AREA MAY BE
LIMITED BY R DS(ON)
SINGLE PULSE
T J =MAX RATED
100us
1ms
10ms
DC
4
3
SINGLE PULSE
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I 25 ----------------------
150
10
10
10
10
10
10
10
10
0.1
1
T c = 25 o C
10
100 200
2
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe Operating Area
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP3651U Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP3672 | MOSFET N-CH 105V 41A TO-220AB |
| FDP3682 | MOSFET N-CH 100V 32A TO-220AB |
| FDP39N20 | MOSFET N-CH 200V 39A TO-220 |
| FDP51N25 | MOSFET N-CH 250V 51A TO-220 |
| FDP5500 | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP3652 | 功能描述:MOSFET 100V 61a 0.016 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP3652 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220 |
| FDP3652_NL | 制造商:Fairchild 功能描述:100V/61A N-CH MOSFET |
| FDP3652_Q | 功能描述:MOSFET 100V 61a 0.016 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP3672 | 功能描述:MOSFET 105V 41a 0.033 Ohms/VGS=10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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