- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录424 > FDP2614 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 200V 62A TO-220 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDP2614 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 62A TO-220 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220 Pkg |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 62A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 27 毫欧 @ 31A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 99nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7230pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 260W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDP2614-ND FDP2614FS |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
500
100
V GS
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
1000
* Notes :
1. V DS = 10V
2. 250 μ s Pulse Test
150 C
-55 C
10
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
100
10
o
o
25 C
* Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
o
2. T C = 25 C
1
0.1
1
o
10
1
2
4
6
V DS ,Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs. Drain
Current and Gate Voltage
V GS ,Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage Varia-
tion vs. Source Current and Temperature
* Note : T J = 25 C
0.06
o
1000
* Notes :
1. V GS = 0V
T A = 150 C
0.05
100
2. I D = 250 μ A
o
T A = 25 C
0.04
0.03
V GS = 10V
10
o
V GS = 20V
0.02
0.015
0
50 100 150
200
1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
9000
C iss
C iss = C gs + C gd ( C ds = shorted )
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
10
8
V DS = 40V
V DS = 100V
V DS = 160V
6000
6
C oss
4
3000
* Note:
1. V GS = 0V
C rss
2. f = 1MHz
2
0
0.1
1
10
30
0
0
2 0
* Note : I D = 62A
40 6 0 80
100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP2614 Rev. C3
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP26N40 | MOSFET N-CH 400V 26A TO-220 |
| FDP2710 | MOSFET N-CH 250V 50A TO-220 |
| FDP33N25 | MOSFET N-CH 250V 33A TO-220 |
| FDP3651U | MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB |
| FDP3672 | MOSFET N-CH 105V 41A TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP2670 | 功能描述:MOSFET 200V NCh PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP2670_Q | 功能描述:MOSFET 200V NCh PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP26N40 | 功能描述:MOSFET 400V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP2710 | 功能描述:MOSFET 250V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP2710_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 250V, 50A, 47m?? |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。