- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录19163 > FDP18N50 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 500V 18A TO-220 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | FDP18N50 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 18A TO-220 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220 Pkg |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 265 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2860pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 235W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
DUT
+
V DS
_
I SD
L
Driver
D = --------------------------
V GS
( Driver )
I SD
( DUT )
V GS
R G
Same Type
as DUT
? dv/dt controlled by R G
? I SD controlled by pulse period
Gate Pulse Width
Gate Pulse Period
I FM , Body Diode Forward Current
di/dt
V DD
10V
I RM
Body Diode Reverse Current
V DS
( DUT )
Body Diode Recovery dv/dt
V SD
V DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
Figure 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP18N50 / FDPF18N50 / FDPF18N50T Rev. C2
7
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P51-50-G-B-I36-20MA-000-000 | SENSOR 50PSIG 1/8NPT 20MA |
| 3-435640-5 | STAND PLASTISOL 4 POS DIP SWITCH |
| P51-500-A-A-I36-20MA-000-000 | SENSOR 500PSIA 1/4NPT 20MA |
| P51-50-A-A-I36-20MA-000-000 | SENSOR 50PSIA 1/4NPT 20MA |
| P51-300-G-A-I36-20MA-000-000 | SENSOR 300PSIG 1/4NPT 20MA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP18N50_0704 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
| FDP18T | 制造商:ADAM-TECH 制造商全称:Adam Technologies, Inc. 功能描述:IDC DIP & TRANSITION PLUGS .100 [2.54] CENTERLINE |
| FDP19N40 | 功能描述:MOSFET UniFET, 400V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP19N40_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 400V, 19A, 0.24?? |
| FDP20AN06A0 | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。