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参数资料
| 型号： | FDP18N50 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 500V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 18 A, 500 V, 0.265 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封装： | LEAD FREE, TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 1042K |
| 代理商： | FDP18N50 |
7
www.fairchildsemi.com
FDP18N50 / FDPF18N50 Rev. A
F
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDPF18N50 | 500V N-Channel MOSFET |
| FDP20N50F | N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 20A, 0.26ヘ |
| FDP20N50 | 500V N-Channel MOSFET |
| FDP20N50_07 | 500V N-Channel MOSFET |
| FDPF20N50 | 500V N-Channel MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP18N50_0704 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
| FDP18T | 制造商:ADAM-TECH 制造商全称:Adam Technologies, Inc. 功能描述:IDC DIP & TRANSITION PLUGS .100 [2.54] CENTERLINE |
| FDP19N40 | 功能描述:MOSFET UniFET, 400V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP19N40_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 400V, 19A, 0.24?? |
| FDP20AN06A0 | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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