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参数资料
| 型号： | FDP2572 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 29A, 54mз |
| 中文描述： | 4 A, 150 V, 0.054 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封装： | TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 269K |
| 代理商： | FDP2572 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB2572 / FDP2572 Rev. B
F
SPICE Thermal Model
REV 26 April 2002
FDB2572
CTHERM1 TH 6 3.8e-3
CTHERM2 6 5 4.0e-3
CTHERM3 5 4 4.2e-3
CTHERM4 4 3 4.3e-3
CTHERM5 3 2 8.5e-3
CTHERM6 2 TL 3.0e-2
RTHERM1 TH 6 5.5e-4
RTHERM2 6 5 5.0e-3
RTHERM3 5 4 4.5e-2
RTHERM4 4 3 10.5e-2
RTHERM5 3 2 3.7e-1
RTHERM6 2 TL 3.8e-1
SABER Thermal Model
SABER thermal model FDB2572
template thermal_model th tl
thermal_c th, tl
{
ctherm.ctherm1 th 6 =3.8e-3
ctherm.ctherm2 6 5 =4.0e-3
ctherm.ctherm3 5 4 =4.2e-3
ctherm.ctherm4 4 3 =4.3e-3
ctherm.ctherm5 3 2 =8.5e-3
ctherm.ctherm6 2 tl =3.0e-2
rtherm.rtherm1 th 6 =5.5e-4
rtherm.rtherm2 6 5 =5.0e-3
rtherm.rtherm3 5 4 =4.5e-2
rtherm.rtherm4 4 3 =10.5e-2
rtherm.rtherm5 3 2 =3.7e-1
rtherm.rtherm6 2 tl =3.8e-1
}
RTHERM4
RTHERM6
RTHERM5
RTHERM3
RTHERM2
RTHERM1
CTHERM4
CTHERM6
CTHERM5
CTHERM3
CTHERM2
CTHERM1
tl
2
3
4
5
6
th
JUNCTION
CASE
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP2572 | STEREO 200W CLASS-T DIGITAL AUDIO AMPLIFIER DRIVER USING DIGITAL POWER PROCESSING TECHNOLOGY |
| FDB2572 | N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 29A, 54mз |
| FDP2614 | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDP2670 | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDB2670 | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP2572 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CH MOSFET, 150V, 29A, TO-220AB |
| FDP2572_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 150V, 29A, 54m?? |
| FDP2572_Q | 功能描述:MOSFET TO-220 N-CH 150V 29A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP2614 | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP2670 | 功能描述:MOSFET 200V NCh PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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