型号: | FDP2572 |
厂商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 29A, 54mз |
中文描述: | 4 A, 150 V, 0.054 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
封装: | TO-220AB, 3 PIN |
文件页数: | 6/11页 |
文件大小: | 269K |
代理商: | FDP2572 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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FDP2572 | STEREO 200W CLASS-T DIGITAL AUDIO AMPLIFIER DRIVER USING DIGITAL POWER PROCESSING TECHNOLOGY |
FDB2572 | N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 29A, 54mз |
FDP2614 | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
FDP2670 | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
FDB2670 | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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FDP2572 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CH MOSFET, 150V, 29A, TO-220AB |
FDP2572_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 150V, 29A, 54m?? |
FDP2572_Q | 功能描述:MOSFET TO-220 N-CH 150V 29A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDP2614 | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDP2670 | 功能描述:MOSFET 200V NCh PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |