- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录375779 > FDP2614 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 200V N-Channel PowerTrench MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | FDP2614 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 62 A, 200 V, 0.027 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 328K |
| 代理商： | FDP2614 |
4
www.fairchildsemi.com
FDP2614 Rev. A
F
Figure 7. Breakdown Voltage Variation vs.
Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation vs. Tem-
perature
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current vs. Case-
Temperature
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
-100
-50
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
0
50
100
150
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
* Notes :
1. V
GS
= 0V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
,
D
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
* Notes :
1. V
GS
= 10V
2. I
D
= 31A
r
D
,
D
T
J
, Junction Temperature
[
o
C
]
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
DC
10 ms
1ms
100
μ
s
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
* Notes :
1. T
C
= 25
o
C
2. T
J
= 150
o
C
3. Single Pulse
400
25
50
T
C
, Case Temperature
[
o
C
]
75
100
125
150
0
10
20
30
40
50
60
70
I
D
,
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
0.01
0.1
0.2
0.05
0.02
* Notes :
1. Z
θ
JC
(t) = 0.48
o
C/W Max.
2. Duty Factor, D=t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
0.5
Single pulse
T
[
Z
θ
J
]
Rectangular Pulse Duration [sec]
t
1
P
DM
t
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP2670 | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDB2670 | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDP33N25 | 250V N-Channel MOSFET |
| FDP3651U | N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 80A, 15mOHM |
| FDP3672 | N-Channel PowerTrench MOSFET 105V, 41A, 33mз |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP2670 | 功能描述:MOSFET 200V NCh PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP2670_Q | 功能描述:MOSFET 200V NCh PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP26N40 | 功能描述:MOSFET 400V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP2710 | 功能描述:MOSFET 250V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP2710_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 250V, 50A, 47m?? |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。