型号: | FDP2614 |
厂商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | JFETs |
英文描述: | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
中文描述: | 62 A, 200 V, 0.027 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
封装: | ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN |
文件页数: | 6/8页 |
文件大小: | 328K |
代理商: | FDP2614 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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FDP2670 | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
FDB2670 | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
FDP33N25 | 250V N-Channel MOSFET |
FDP3651U | N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 80A, 15mOHM |
FDP3672 | N-Channel PowerTrench MOSFET 105V, 41A, 33mз |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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FDP2670 | 功能描述:MOSFET 200V NCh PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDP2670_Q | 功能描述:MOSFET 200V NCh PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDP26N40 | 功能描述:MOSFET 400V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDP2710 | 功能描述:MOSFET 250V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDP2710_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 250V, 50A, 47m?? |