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参数资料
| 型号： | FDP65N06 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 60V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 65 A, 60 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封装： | TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 607K |
| 代理商： | FDP65N06 |
3
www.fairchildsemi.com
FDP65N06 Rev. A1
F
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
1
10
10
100
V
GS
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
* Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0.1
2
300
2
4
6
8
10
1
10
100
I
D
,
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
150
o
C
25
o
C
-55
o
C
* Notes :
1. V
DS
= 40V
2. 250
μ
s Pulse Test
500
0
5
10
15
20
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0.12
0.14
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
* Note : T
J
= 25
o
C
R
D
]
D
I
D
, Drain Current [A]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1
10
100
25
0
C
150
0
C
* Note :
1. V
GS
=0V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
,
V
DS
, Source-Drain Violtage [V]
10
-1
10
0
10
1
0
1000
2000
3000
4000
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(C
ds
= shorted)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
* Note :
1. V
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
10
20
30
40
0
2
4
6
8
10
12
V
DS
= 12V
V
DS
= 30V
V
DS
= 48V
* Note : I
D
= 65A
V
G
,
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDP6670AS | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:30V N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET⑩ |
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