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参数资料
| 型号： | FDP7030BL |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET |
| 中文描述： | 60 A, 30 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封装： | TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | FDP7030BL |
FDP7030BL/FDB7030BL Rev D1(W)
Typical Characteristics
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
30
35
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= 30A
V
DS
= 10V
20V
15V
0
500
1000
1500
2000
2500
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
iss
C
rss
C
oss
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
DC
100μs
100m
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 10V
SINGLE PULSE
R
θ
JC
= 2.5
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10mS
10μs
1mS
0
1000
2000
3000
4000
5000
0.00001
0.0001
0.001
t
1
, TIME (sec)
0.01
0.1
1
P
SINGLE PULSE
R
θ
JC
= 2.5°C/W
T
A
= 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.01
0.00001
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
1
, TIME (sec)
r
T
R
θ
JC
(t) = r(t) * R
θ
JC
R
θ
JC
= 2.5 °C/W
T
J
- T
A
= P * R
θ
JC
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk
t
1
t
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
F
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP7030L | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP7030BL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-220 |
| FDP7030BL_Q | 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP7030BLS | 功能描述:MOSFET TO-220 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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