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参数资料
| 型号： | FDB7045L |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 75 A, 30 V, 0.0045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 封装： | TO-263AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 428K |
| 代理商： | FDB7045L |
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Absolute Maximum Ratings
T
C
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
Parameter
FDP7045L
FDB7045L
Units
V
V
A
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Maximum Drain Current - Continuous (Note 1)
30
±
20
100
75
300
125
0.85
- Pulsed (Note 1)
Total Power Dissipation @ T
C
= 25
°
C
Derate above 25
°
C
Operating and Storage Junction Temperature Range
Thermal Characteristics
R
θ
JC
R
θ
JA
W
P
D
W/
°
C
°
C
T
J
, T
STG
-65 to +175
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
1.2
62.5
°
C/W
°
C/W
Package Outlines and Ordering Information
Device Marking
FDB7045L
FDP7045L
Device
FDB7045L
FDP7045L
Reel Size
13
’’
Tube
Tape Width
24mm
N/A
Quantity
800
45
S
D
G
S
G
D
TO-220
FDP Series
D
G
S
TO-263AB
FDB Series
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP7045L | N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
| FDP75N08_0606 | 75V N-Channel MOSFET |
| FDP75N08A | 75V N-Channel MOSFET |
| FDP75N08 | 75V N-Channel MOSFET |
| FDP79N15_07 | 150V N-Channel MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB7045L_Q | 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FD-B8 | 制造商:SUNX 功能描述:FIBRE REFLECTIVE M6 2M 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:Slim Body Analog Fiber Sensor 2-Pin |
| FD-B8 | 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:FIBER SENSORM6 DIF. LONG SENSING RANGE |
| FDB8030L | 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB8132 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:* 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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