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参数资料
| 型号： | FDP8N50NZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V TO-220AB-3 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 850 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 735pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 139W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 成形引线 |
| 供应商设备封装： | TO-220-3 |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
30
10
V GS = 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
30
10
150 C
-55 C
25 C
1
6.5 V
6.0 V
5.5 V
1
o
o
o
2. T C = 25 C
0.1
0.03
0.03
*Notes:
1. 250 ? s Pulse Test
o
0.1 1 10
V DS , Drain-Source Voltage[V]
20
0.1
2
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 ? s Pulse Test
4 6 8
V GS , Gate-Source Voltage[V]
10
150 C
25 C
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
2.0
1.6
1.2
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
100
o
o
10
V GS = 10V
V GS = 20V
0.8
*Notes:
*Note: T C = 25 C
0.4
0
3
6 9 12 15
o
18
1
0.4
1. V GS = 0V
2. 250 ? s Pulse Test
0.8 1.2 1.6 2.0
2.4
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
1200
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
10
900
C oss
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
8
V DS = 100V
V DS = 250V
V DS = 400V
*Note:
C iss
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
6
600
4
300
C rss
2
0
0.1
1
10
30
0
0
3
*Note: I D = 8A
6 9 12
15
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP8N50NZ / FDPF8N50NZ Rev. C2
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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