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参数资料
| 型号： | FDPF085N10A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 40A TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.5 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2695pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 33.3W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.12
1.08
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
2.5
2.0
1.04
1.5
1.00
0.96
*Notes:
1. V GS = 0V
2. I D = 250 μ A
1.0
*Notes:
1. V GS = 10V
2. I D = 96A
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.92
-80
-40 0 40 80 120 160
o
200
0.5
-80
-40
0 40 80 120 160
o
200
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
500
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
45
100
10
100 μ s
1ms
10ms
36
27
V GS = 10V
1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
100ms
DC
18
*Notes:
1. T C = 25 C
2. T J = 175 C
R θ JC = 4.5 C/W
0.1
o
o
3. Single Pulse
9
o
T C , Case Temperature [ C ]
0.01
0.1
1 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
100 200
0
25
50 75 100 125 150
o
175
Figure 11. Eoss vs. Drain to Source Voltage
Figure 12. Unclamped Inductive
Switching Capability
STARTING T J = 25 C
STARTING T J = 150 C
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
30
10
If R = 0
t AV = (L)(I AS )/(1.3*RATED BV DSS -V DD )
If R = 0
t AV = (L/R)In[(I AS *R)/(1.3*RATED BV DSS -V DD )+1]
o
o
0.0
0
20 40 60 80
V DS , Drain to Source Voltage [ V ]
100
1
0.01
0.1 1 10 100 300
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDPF085N10A Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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