参数资料
型号: FDPF085N10A
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 6/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 40A TO-220F
标准包装: 50
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 40A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 8.5 毫欧 @ 40A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2695pF @ 50V
功率 - 最大: 33.3W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220F
包装: 管件
I G = const .
Figure 14. Gate Charge Test Circuit & Waveform
GS
10V
R G
V GS
V DS
R L
DUT
V DD
V DS
V GS
90%
10%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Figure 15. Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
V GS
Figure 16. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDPF085N10A Rev. C1
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料
PDF描述
FDPF10N50FT MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F
FDPF10N50UT MOSFET N-CH 500V 8A TO-220F-3
FDPF10N60ZUT MOSFET N-CH 600V TO-220F-3
FDPF12N50FT MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220F
FDPF12N50NZT MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220F
相关代理商/技术参数
参数描述
FDPF10N50FT 功能描述:MOSFET UniFET 500V 10A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDPF10N50UT 功能描述:MOSFET 500V 8A N-Chan UniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDPF10N60NZ 功能描述:MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDPF10N60ZUT 功能描述:MOSFET 600V 9A N-Chan FRFET UniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDPF10N60ZUT_12 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET, FRFET 600V, 9A, 0.8??