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参数资料
| 型号： | FDPF10N50FT |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 850 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1170pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 42W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1608 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
Figure 8. Maximum Safe Operating Area
50
20 μ s
1.1
1.0
10
1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
DC
100 μ s
1ms
10ms
1. T C = 25 C
0.9
*Notes:
0.1
*Notes:
o
T J , Junction Temperature [ C ]
2. T J = 150 C
0.8
-100
1. V GS = 0V
2. I D = 250 μ A
-50 0 50 100 150 200
o
0.01
1
o
3. Single Pulse
10 100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
1000
Figure 9. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
10
8
6
4
2
T C , Case Temperature [ C ]
0
25
50 75 100 125
o
150
Figure 10. Transient Thermal Response Curve
5
1
0.5
0.2
0.1
1. Z θ JC (t) = 3.0 C/W Max.
0.1
0.05
0.02
0.01
P DM
*Notes: t 2
t 1
o
0.01
10
10
10
10
10
10
0.005
Single pulse
-5
-4
-3
-2
-1
2. Duty Factor, D= t 1 /t 2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
1 10
2
1 ,
Rectangular Pulse Duration [sec]
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDPF10N50FT Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDPF10N50UT | MOSFET N-CH 500V 8A TO-220F-3 |
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| FDPF12N50NZT | MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220F |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDPF10N60ZUT | 功能描述:MOSFET 600V 9A N-Chan FRFET UniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF10N60ZUT_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET, FRFET 600V, 9A, 0.8?? |
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