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参数资料
| 型号： | FDPF39N20 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 39A TO-220F |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 39A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 66 毫欧 @ 19.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 49nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2130pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 37W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
10
2
Top :
V GS
15.0 V
10
2
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
10
1
150 C
25 C
10
1
o
o
-55 C
2. T C = 25 C
10
0
* Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
o
o
* Notes :
1. V DS = 40V
2. 250 μ s Pulse Test
10
-1
10
0
10
1
10
0
2
4
6
8
10
12
10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.14
0.12
0.10
2
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
10
150 C
0.08
V GS = 10V
1
o
25 C
o
0.06
V GS = 20V
* Notes :
* Note : T J = 25 C
0.04
o
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0
25
50
75
100
125
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
4000
12
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
C oss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
10
8
V DS = 40V
V DS = 100V
V DS = 160V
C iss
2000
* Note :
6
4
C rss
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
2
* Note : I D = 39A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
10
20
30
40
50
60
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q G , Total Gate Charge [nC]
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP39N20 / FDPF39N20 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDPF3N50NZ | 功能描述:MOSFET 500V N-Chan MOSFET UniFET-II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDPF4N60NZ | 功能描述:MOSFET Dual 2A High-Speed Low-Side Gate Driver RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF51N25 | 功能描述:MOSFET 250V N-Channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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