- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18736 > FDPF51N25 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 250V 51A TO-220F PDF资料下载
参数资料
| 型号： | FDPF51N25 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 51A TO-220F |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 51A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 25.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 70nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3410pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 38W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
V GS
Figure 2. Transfer Characteristics
10
10
2
Top :
15.0 V
10.0 V
8.0 V
2
150 C
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
o
10
10
25 C
-55 C
2. T C = 25 C
1
* Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
o
1
o
o
* Notes :
1. V DS = 40V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
10
0
-1
0
1
0
2
4
6
8
10
12
10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.14
0.12
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
2
10
0.10
0.08
V GS = 10V
1
150 C
25 C
0.06
V GS = 20V
o
o
* Notes :
* Note : T J = 25 C
0.04
o
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0
25
50
75
100
125
150
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
12
6000
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
10
V DS = 50V
V DS = 125V
4000
C oss
C iss
8
6
V DS = 200V
4
2000
* Note ;
C rss
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
2
* Note : I D = 51A
10
10
10
0
-1
0 1
V DS , Drain-Source Voltage [V]
0
0
10
20 30 40
Q G , Total Gate Charge [nC]
50
60
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP51N25 / FDPF51N25 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HUF75344P3 | MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB |
| XBP24-ACI-001 | MODULE 802.15.4 100MW CHIP ANT |
| XB24-ACI-001 | MODULE 802.15.4 1MW W/CHIP ANT |
| IXFK90N20Q | MOSFET N-CH 200V 90A TO-264AA |
| X09-009NSC-TX | MOD RF TX 900MHZ 9600BPS W/RPSMA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDPF51N25RDTU | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDPF51N25YDTU | 功能描述:MOSFET 250V 28A N-CH UNIFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF52N20T | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF55N06 | 功能描述:MOSFET 60V 55A N-Chan UniFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF5N50 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 500V, 5A, 1.4ヘ |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。