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参数资料
型号： FDPF5N50NZU
厂商： Fairchild Semiconductor
文件页数： 5/8页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 500V 3.9A TO-220F
产品目录绘图： MOSFET TO-220F
标准包装： 50
系列： UniFET-II™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 3.9A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 2 欧姆 @ 1.95A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 12nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 485pF @ 25V
功率 - 最大： 30W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3 整包
供应商设备封装： TO-220F
包装： 管件
产品目录页面： 1608 (CN2011-ZH PDF)
Figure 11. Gate Charge Test Circuit & Waveform
I G = const .
Figure 12. Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
GS
10V
R G
V GS
V DS
R L
DUT
V DD
V DS
V GS
90%
10%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Figure 13. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
V GS
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDPF5N50NZU Rev. C1
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料
PDF描述
FDPF5N50NZ MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F
FDPF5N50TYDTU MOSFET N-CH 500V TO-220FP-3
FDPF5N50UT MOSFET N-CH 500V TO-220F-3
FDPF5N60NZ MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F
FDPF680N10T MOSFET N-CH 100V 12A TO-220F
相关代理商/技术参数
参数描述
FDPF5N50NZU 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CH MOSFETUNITFET 500V 3.9A TO-220F
FDPF5N50T 功能描述:MOSFET 500V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDPF5N50TYDTU 功能描述:MOSFET 500V N-Chan MOSFET UniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDPF5N50UT 功能描述:MOSFET 500V N-Channel FRFET, Ultra FRFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDPF5N50UTYDTU 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
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