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参数资料
| 型号： | FDPF5N60NZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET-II™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 欧姆 @ 2.25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 33W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
150 C
10
V GS = 15.0V
10.0V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
20
10
o
25 C
-55 C
1
1
o
o
2. T C = 25 C
0.1
0.1
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
1 10
V DS , Drain-Source Voltage[V]
20
0.1
2
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
4 6 8
V GS , Gate-Source Voltage[V]
10
150 C
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
4
3
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
40
10
o
25 C
V GS = 10V
o
2
V GS = 20V
1
*Notes:
*Note: T C = 25 C
1
0
2
4 6
8
o
10
0.1
0.2
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
1.4
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
1000
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
C iss
8
V DS = 120V
V DS = 300V
V DS = 480V
100
10
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
C oss
C rss
*Note:
6
4
2
1 -1
10 1 10
Coss = Cds + Cgd 1. V GS = 0V
Crss = Cgd 2. f = 1MHz
V DS , Drain-Source Voltage [V]
30
0
0
2
*Note: I D = 4.5A
4 6 8
Q g , Total Gate Charge [nC]
10
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP5N60NZ / FDPF5N60NZ Rev. C2
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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