参数资料
型号: FDPF7N50
厂商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: JFETs
英文描述: 500V N-Channel MOSFET
中文描述: 7 A, 500 V, 0.9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封装: LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN
文件页数: 7/10页
文件大小: 327K
代理商: FDPF7N50
7
www.fairchildsemi.com
FDP7N50/FDPF7N50 REV. A
F
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
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PDF描述
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参数描述
FDPF7N50F 功能描述:MOSFET 500V 6A 1.15Ohm N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDPF7N50U 功能描述:MOSFET 500V N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDPF7N50U_G 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO-220F
FDPF7N60NZ 功能描述:MOSFET 600V NChannel MOSFET UniFET-II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDPF8N50NZ 功能描述:MOSFET UniFET2 500V N-chan RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube