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参数资料
| 型号： | FDR840P |
| 厂商： | Analog Devices, Inc. |
| 英文描述： | Thermoelectric Cooler Controller |
| 中文描述： | 热电冷却器控制器 |
| 文件页数： | 6/24页 |
| 文件大小： | 416K |
| 代理商： | FDR840P |
REV. C
–6–
ADN8830
TEMPERATURE ( C)
1,000
920–40
85
–15
S
10
35
60
980
960
940
930
990
970
950
V
DD
= 5V
R
FREQ
= 150k
TPC 7. Switching Frequency vs. Temperature
TEMPERATURE ( C)
70
30–40
85
–15
O
10
35
60
55
45
35
65
60
50
40
TPC 8. Offset Voltage vs. Temperature
COMMON-MODE VOLTAGE (V)
200
–100
–400
0
2.0
0.2
O
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
100
0
–200
–300
TPC 9. Offset Voltage vs. Common-Mode Voltage
SWITCHING FREQUENCY (kHz)
200
1,000
300
400
500
600
700
800
900
45
40
0
S
20
15
10
5
30
25
35
V
DD
= 5V
T
= 25 C
USING CIRCUIT SHOWN IN FIGURE 1
TPC 10. Supply Current vs. Switching Frequency
TEMPERATURE ( C)
2.06
2.02–40
85
–15
T
10
35
60
2.04
2.03
2.05
TPC 11. Open Thermistor Fault Threshold vs. Temperature
TEMPERATURE ( C)
0.26
0.23–40
85
–15
T
10
35
60
0.25
0.24
TPC 12. Short Thermistor Fault Threshold vs.
Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDW2520C | Thermoelectric Cooler Controller |
| FDR840 | P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDR840P | P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDR842P | P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDR844P | P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDR842P | 功能描述:MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDR842P_Q | 功能描述:MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDR844P | 功能描述:MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDR8508P | 功能描述:MOSFET SSOT-8 P-CH DUAL 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDR8508P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL PP SUPERSOT-8 |
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