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参数资料
| 型号： | FDR8508P |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrench⑩ MOSFET |
| 中文描述： | 3000 mA, 30 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | SUPERSOT-8 |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 274K |
| 代理商： | FDR8508P |
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DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
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, DRAIN CURRENT (A)
N
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GS
=-3.5V
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-4.5V
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T
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, JUNCTION TEMPERATURE (
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=-3A
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, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
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GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
V
GS
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J
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o
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-V
SD
, BODY DIODE VOLTAGE (V)
-
S
,
T
J
=125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDR8521L | P-Channel MOSFET With Gate Driver For Load Switch Application |
| FDR856P | P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| FDR858P | Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET |
| FDR8702H | 20V N & P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS2070N7 | 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDR8508P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL PP SUPERSOT-8 |
| FDR8508PQ | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDR8521L | 功能描述:MOSFET SSOT-8 LD SW 3-20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDR8521L_Q | 功能描述:MOSFET SSOT-8 LD SW 3-20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDR856P | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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