型号: | FDR856P |
厂商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
中文描述: | 5100 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
封装: | SUPERSOT-8 |
文件页数: | 5/8页 |
文件大小: | 223K |
代理商: | FDR856P |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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FDR858P | Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET |
FDR8702H | 20V N & P-Channel PowerTrench MOSFET |
FDS2070N7 | 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
FDS2070N3 | 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
FDS2170N3 | 200V N-Channel PowerTrench剖 MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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FDR858P | 功能描述:MOSFET SSOT-8 P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDR858P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SUPERSOT-8 |
FDR8702H | 功能描述:MOSFET N & PCh PowerTrench 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
FDRH20 | 制造商:TOKO 制造商全称:TOKO, Inc 功能描述:Radial Type Fixed Inductor |
FDRH2076-470M | 制造商:TOKO 制造商全称:TOKO, Inc 功能描述:Radial Type Fixed Inductor |