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参数资料
| 型号： | FDS2170N7 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 3 A, 200 V, 0.128 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | FLMP, SO-8 |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 201K |
| 代理商： | FDS2170N7 |
FDS2170N3 Rev B1(W)
Dimensional Outline and Pad Layout
F
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS2570 | 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS2572 | 150V, 0.047 Ohms, 4.9A, N-Channel UltraFET Trench MOSFET |
| FDS2582 | 12 AMP MINIATURE POWER RELAY |
| FDS2670 | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS2672 | N-Channel UltraFET Trench㈢ MOSFET 200V, 3.9A, 70mз |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FDS2570 | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS2570 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDS2570_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS2572 | 功能描述:MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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