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参数资料
| 型号： | FDS2670 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 3000 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | SOIC-8 |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 339K |
| 代理商： | FDS2670 |
SOIC-8 (FS PKG Code S1)
1 : 1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.0774
SO-8 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A
9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS2672 | N-Channel UltraFET Trench㈢ MOSFET 200V, 3.9A, 70mз |
| FDS2734 | N-Channel UItraFET Trench MOSFET 250V, 3.0A, 117mohm |
| FDS3170N7 | 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS3512 | 80V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS3570 | 80V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS2670 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDS2670_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS2672 | 功能描述:MOSFET 200V 3.9A 70OHM NCH ULTRAFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS2672 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET |
| FDS2672_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel UltraFET Trench?? MOSFET |
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