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参数资料
| 型号： | FDS3572 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 8.9 A, 80 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | SO-8 |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 628K |
| 代理商： | FDS3572 |
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS3572 Rev. A
F
PSPICE Electrical Model
.SUBCKT FDS3572 2 1 3 ;
Ca 12 8 7e-10
Cb 15 14 7e-10
Cin 6 8 1.9e-9
rev November 2003
Dbody 7 5 DbodyMOD
Dbreak 5 11 DbreakMOD
Dplcap 10 5 DplcapMOD
Ebreak 11 7 17 18 86.6
Eds 14 8 5 8 1
Egs 13 8 6 8 1
Esg 6 10 6 8 1
Evthres 6 21 19 8 1
Evtemp 20 6 18 22 1
It 8 17 1
Lgate 1 9 1e-9
Ldrain 2 5 1e-9
Lsource 3 7 0.1e-9
RLgate 1 9 10
RLdrain 2 5 10
RLsource 3 7 1
Mmed 16 6 8 8 MmedMOD
Mstro 16 6 8 8 MstroMOD
Mweak 16 21 8 8 MweakMOD
Rbreak 17 18 RbreakMOD 1
Rdrain 50 16 RdrainMOD 5.5e-3
Rgate 9 20 1.3
RSLC1 5 51 RSLCMOD 1e-6
RSLC2 5 50 1e3
Rsource 8 7 RsourceMOD 5.5e-3
Rvthres 22 8 Rvthresmod 1
Rvtemp 18 19 RvtempMOD 1
S1a 6 12 13 8 S1AMOD
S1b 13 12 13 8 S1BMOD
S2a 6 15 14 13 S2AMOD
S2b 13 15 14 13 S2BMOD
Vbat 22 19 DC 1
ESLC 51 50 VALUE={(V(5,51)/ABS(V(5,51)))*(PWR(V(5,51)/(1e-6*250),2.5))}
.MODEL DbodyMOD D (IS=4.5E-12 RS=4.7e-3 TRS1=1.5e-3 TRS2=2e-5 XTI=3 CJO=1.4e-9 TT=3e-08 M=0.55)
.MODEL DbreakMOD D (RS=2.5 TRS1=1e-4 TRS2=1e-6)
.MODEL DplcapMOD D (CJO=4.6e-10 IS=1e-30 N=10 M=0.5)
.MODEL MmedMOD NMOS (VTO=3.35 KP=3 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=1.3 T_ABS=25)
.MODEL MstroMOD NMOS (VTO=3.9 KP=60 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u T_ABS=25)
.MODEL MweakMOD NMOS (VTO=2.88 kp=0.04 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=13 RS=0.1 T_ABS=25)
.MODEL RbreakMOD RES (TC1=1e-3 TC2=-7.5e-7)
.MODEL RdrainMOD RES (TC1=4.8e-3 TC2=3e-5)
.MODEL RSLCMOD RES (TC1=2.4e-2 TC2=1e-7)
.MODEL RsourceMOD RES (TC1=1e-2 TC2=1e-6)
.MODEL RvthresMOD RES (TC1=-4.4e-3 TC2=-1.4e-5)
.MODEL RvtempMOD RES (TC1=-4e-3 TC2=2e-7)
.MODEL S1AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-4.0 VOFF=-2.0)
.MODEL S1BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-2.0 VOFF=-4.0)
.MODEL S2AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-0.5 VOFF=0)
.MODEL S2BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=0 VOFF=-0.5)
.ENDS
Note: For further discussion of the PSPICE model, consult
A New PSPICE Sub-Circuit for the Power MOSFET Featuring Global
Temperature Options
; IEEE Power Electronics Specialist Conference Records, 1991, written by William J. Hepp and C. Frank
Wheatley.
18
22
+
-
6
8
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-
5
51
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-
19
8
+
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17
18
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6
8
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-
5
8
+
-
RBREAK
RVTEMP
19
VBAT
RVTHRES
IT
17
18
22
12
13
15
S1A
S1B
S2A
S2B
CA
CB
EGS
EDS
14
8
13
8
14
13
MWEAK
EBREAK
DBODY
RSOURCE
SOURCE
3
11
7
LSOURCE
RLSOURCE
CIN
RDRAIN
EVTHRES
16
21
8
MMED
MSTRO
DRAIN
2
LDRAIN
RLDRAIN
DBREAK
DPLCAP
ESLC
RSLC1
51
10
5
50
RSLC2
1
GATE
RGATE
EVTEMP
9
ESG
LGATE
RLGATE
20
+
-
+
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS3580 | CAP CER 33000PF 630V X7R 1210 |
| FDS3590 | 80V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDS3612 | 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS3670 | RECTIFIER STANDARD SINGLE 1A 100V 100 30A-ifsm 5uA-ir 1V-vf DO-41 1K/BULK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS3572 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET 80V 8.9A SOIC |
| FDS3572_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDS3572_Q | 功能描述:MOSFET 80V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS3580 | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS3580_00 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:80V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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