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参数资料
| 型号： | FDS4435A |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | P-Channel Logic Level PowerTrench⑩MOSFET |
| 中文描述： | 9000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | SO-8 |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 637K |
| 代理商： | FDS4435A |
F
FDS4435 Rev. D
Typical Characteristics
(continued)
Figure 7. Gate-Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS4435BZ | 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS4465 | P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDS4470 | 40V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS4480 | 40V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS4488 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS4435A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDS4435BZ | 功能描述:MOSFET 30V.PCH POWER TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4435BZ | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:P CHANNEL MOSFET, -30V, 8.8A, SOIC |
| FDS4435BZ_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET -30V, -8.8A, 20mヘ |
| FDS4435BZ_F021 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:FDS4435BZ Series -30 V -8.8 A P-Channel PowerTrench MOSFET - SOIC-8 |
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