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参数资料
| 型号： | FDS6294 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11.3 毫欧 @ 13A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1205pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS6294DKR |
February 200 7
FDS6294
30V N-Channel Fast Switching PowerTrench ? MOSFET
tm
General Description
This N-Channel MOSFET has been designed
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC
converters using either synchronous or conventional
switching PWM controllers. It has been optimized for
low gate charge, low R DS(ON) and fast switching speed.
Applications
? DC/DC converter
? Power management
? Load switch
Features
? 13 A, 30 V. R DS(ON) = 11.3 m ? @ V GS = 10 V
R DS(ON) = 14.4 m ? @ V GS = 4.5 V
? Low gate charge (10 nC typical)
? High performance trench technology for extremely
low R DS(ON)
? High power and current handling capability.
? RoHS Compliant
D D
D D
D D
D D
5
6
4
3
S S S
S S G
SO-8
Pin 1 SO-8
S
G
7
8
2
1
Absolute Maximum Ratings
T A =25 o C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GSS
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Ratings
30
± 20
Units
V
V
I D
Drain Current
– Continuous
(Note 1a)
13
A
– Pulsed
50
P D
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1a)
3.0
W
(Note 1b)
1.2
E AS
Single Pulse Avalanche Energy
(Note 3)
181
mJ
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
–55 to +175
° C
Thermal Characteristics
R θ JA
R θ JA
R θ JC
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1b)
(Note 1)
50
125
25
° C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDS6294
Device
FDS6294
Reel Size
13’’
Tape width
12mm
Quantity
2500 units
? 200 7 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS6294 Rev D1 (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS6298 | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC |
| FDS6375 | MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC |
| FDS6570A | MOSFET N-CH 20V 15A 8SOIC |
| FDS6574A | MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC |
| FDS6575 | MOSFET P-CH 20V 10A SO-8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS6294 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDS6294_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:30V N-Channel Fast Switching PowerTrench MOSFET |
| FDS6294_F095 | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:0 |
| FDS6294_Q | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Fast Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6298 | 功能描述:MOSFET 30V N-CH Fast SwitCH PwrTrenCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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