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参数资料
| 型号： | FDS6575 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 10A SO-8 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 10A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 74nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4951pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS6575DKR |
September 2001
FDS6575
P-Channel 2.5V Specified PowerTrench ? MOSFET
General Description
This P-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged
gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced
PowerTrench process. It has been optimized for power
management applications with a wide range of gate
drive voltage (2.5V – 8V).
Applications
? Power management
? Load switch
? Battery protection
Features
? –10 A, –20 V. R DS(ON) = 13 m ? @ V GS = –4.5 V
R DS(ON) = 17 m ? @ V GS = –2.5 V
? Low gate charge
? High performance trench technology for extremely
low R DS(ON)
? High current and power handling capability
D D
D D
D D
D D
5
6
4
3
7
2
S S S
SO-8
Pin 1 SO-8
S
G
S S G
8
1
Absolute Maximum Ratings
T A =25 o C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GSS
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Ratings
–20
± 8
Units
V
V
I D
Drain Current
– Continuous
(Note 1a)
–10
A
– Pulsed
–50
P D
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1a)
2.5
W
(Note 1b)
(Note 1c)
1.5
1.2
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
–55 to +175
° C
Thermal Characteristics
R θ JA
R θ JA
R θ J C
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1c)
(Note 1)
50
125
25
° C/W
° C/W
° C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDS6575
Device
FDS6575
Reel Size
13’’
Tape width
12mm
Quantity
2500 units
? 2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS6575 Rev F(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS6576 | MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC |
| FDS6612A | MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-SOIC |
| FDS6614A | MOSFET N-CH 30V 9.3A 8SOIC |
| FDS6630A | MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC |
| FDS6670AS | MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS6575 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFETP SO-8 ((NW)) |
| FDS6575 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SO-8 |
| FDS6575_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel 2.5V Specified PowerTrench?MOSFET |
| FDS6575A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDS6576 | 功能描述:MOSFET SO-8 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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