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参数资料
| 型号： | FDS6576 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 11A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4044pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS6576DKR |
December 2006
FDS6576
P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
tm
General Description
Features
gate version of Fairchild Semiconductor's advanced
PowerTrench process. It has been optimized for power
This P-Channel 2.5V specified MOSFET is in a rugged
?
?
–11 A, –20 V. R DS(ON) = 0.014
R DS(ON) = 0.020
@ V GS = –4.5 V
@ V GS = –2.5 V
management applications with a wide range of gate
drive voltage (2.5V - 12V).
Applications
? Load switch
? Battery protection
? Power management
?
?
?
?
Extended V GSS range ( 12V) for battery applications.
Low gate charge (43nC typical).
Fast switching speed.
High performance trench technology for extremely
low R DS(ON) .
? High power and current handling capability.
? RoHS Compliant.
D
D
D
D
5
6
4
3
SO-8
S
S
S
G
7
8
2
1
Absolute Maximum Ratings
T A =25 o C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GSS
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Ratings
–20
12
Units
V
V
I D
Drain Current
– Continuous
(Note 1a)
–11
A
– Pulsed
–50
P D
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1a)
2.5
W
(Note 1b)
(Note 1c)
1.2
1.0
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
–55 to +150
C
Thermal Characteristics
R
R
R
JA
JA
JC
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1c)
(Note 1)
50
125
25
C/W
C/W
C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDS6576
Device
FDS6576
Reel Size
13’’
Tape width
12mm
Quantity
2500 units
2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS6576 Rev E3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| FDS6630A | MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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