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参数资料
| 型号： | FDS6576 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 11A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4044pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDS6576DKR |
Typical Characteristics
50
V GS = 10V
2.25
40
6.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2
30
1.75
1.5
V GS = 3.0V
20
1.25
3.5V
4.5V
6.0V
10
2.5V
1
10V
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0.75
0
10
20
30
40
50
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.8
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.03
1.6
I D = 12A
V GS = 10V
0.025
I D = 6 A
1.4
0.02
1.2
1
0.8
0.015
0.01
T A = 125 o C
T A = 25 o C
0.6
-50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.005
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
2
4 6 8
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
50
V DS = 5V
T A = -55 o C
25 o C
125 o C
100
10
V GS = 0V
40
1
T A = 125 o C
30
20
10
0.1
0.01
0.001
25 o C
-55 o C
0
1.5
2 2.5 3
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
3.5
0.0001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1.2
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDS6576 Rev E3
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PDF描述 |
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