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参数资料
| 型号： | FDS6575 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 10A SO-8 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 10A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 74nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4951pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS6575DKR |
Typical Characteristics
50
40
V GS = -4.5V
-3.0V
-2.0V
-2.5V
-1.5V
2.2
2
1.8
V GS = - 1.5V
30
1.6
20
1.4
-2.0V
10
1.2
-2.5V
-3.0V
-3.5V
1
-4.5V
0
0.8
0
0.5
1
1.5
2
0
10
20
30
40
50
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
1.6
1.4
I D = -10A
V GS = - 4.5V
0.035
0.03
I D = -5A
0.025
1.2
0.02
1
0.8
0.6
0.015
0.01
0.005
T A = 25 o C
T A = 125 o C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
1
2
3
4
5
50
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
10
40
V DS = -5V
T A = -55 o C
25 o C
125 o C
1
V GS = 0V
T A = 125 o C
30
20
10
0
0.1
0.01
0.001
0.0001
25 o C
-55 o C
0
0.5
1
1.5
2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDS6575 Rev F(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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