- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录426 > FDS6682 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDS6682 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 31nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2310pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
80
2.2
V GS = 10V 4.5V
3.5V
2
60
40
3.0V
1.8
1.6
1.4
V GS = 3.0V
3.5V
20
1.2
4.0V
4.5V
6.0V
1
10V
0
0.8
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
20
40
60
80
1.8
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.016
I D = 7.0A
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
I D = 14A
V GS = 10V
0.014
0.012
0.01
0.008
0.006
0.004
T A = 25 o C
T A = 125 o C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
o
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
100
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
100
80
V DS = 5V
T A = -55 o C
125 o C
25 o C
10
V GS = 0V
T A = 125 o C
1
60
40
0.1
0.01
25 o C
-55 o C
20
0
0.001
0.0001
1.5
2
2.5
3
3.5
4
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDS6682 Rev D(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS6690AS | MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC |
| FDS6690A | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC |
| FDS6692A | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC |
| FDS6694 | MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC |
| FDS6699S | MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS6682_05 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDS6682_Q | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6685 | 功能描述:MOSFET SO-8 SGL P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6685 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDS6685_Q | 功能描述:MOSFET SO-8 SGL P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。