参数资料
型号: FDS6692A
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
产品变化通告: Mold Compound Change 12/Dec/2007
标准包装: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 11.5 毫欧 @ 9A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1610pF @ 15V
功率 - 最大: 1.47W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 标准包装
产品目录页面: 1603 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: FDS6692ADKR
January 2010
FDS6692A
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
30V, 9A, 11.5m ?
Features
R DS(ON) = 11.5m ? , V GS = 10V, I D = 9A
R DS(ON) = 14.5m ? , V GS = 4.5V, I D = 8.2A
High performance trench technology for extremely low
R DS(ON)
Low gate charge
High power and current handling capability
RoHS Compliant
Applications
DC/DC converters
General Description
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to
improve the overall efficiency of DC/DC converters using
either synchronous or conventional switching PWM
controllers. It has been optimized for low gate charge, low
R DS(ON) and fast switching speed.
D
D
D
D
5
6
4
3
SO-8
S
S
S
G
7
8
2
1
?20 10 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS6692A Rev. A 2
1
www.fairchildsemi.com
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