| 型号: |
FDS6692A |
| 厂商: |
Fairchild Semiconductor |
| 文件页数: |
1/7页 |
| 文件大小: |
0K |
| 描述: |
MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC |
| 产品变化通告: |
Mold Compound Change 12/Dec/2007
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| 标准包装: |
1 |
| 系列: |
PowerTrench® |
| FET 型: |
MOSFET N 通道,金属氧化物
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| FET 特点: |
逻辑电平门
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| 漏极至源极电压(Vdss): |
30V
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| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: |
9A
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| 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: |
11.5 毫欧 @ 9A,10V
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| Id 时的 Vgs(th)(最大): |
2.5V @ 250µA
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| 闸电荷(Qg) @ Vgs: |
29nC @ 10V
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| 输入电容 (Ciss) @ Vds: |
1610pF @ 15V
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| 功率 - 最大: |
1.47W
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| 安装类型: |
表面贴装
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| 封装/外壳: |
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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| 供应商设备封装: |
8-SOICN
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| 包装: |
标准包装 |
| 产品目录页面: |
1603 (CN2011-ZH PDF)
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| 其它名称: |
FDS6692ADKR
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