- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录426 > FDS6692A (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDS6692A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11.5 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1610pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.47W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS6692ADKR |
Switching Characteristics (V GS = 10V)
t ON
t d(ON)
Turn-On Time
Turn-On Delay Time
-
-
-
8
60
-
ns
ns
t r
t d(OFF)
t f
t OFF
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Turn-Off Time
V DD = 15V, I D = 9A
V GS = 10V, R GS = 6.2 ?
-
-
-
-
32
33
13
-
-
-
-
69
ns
ns
ns
ns
Drain-Source Diode Characteristics
V SD
t rr
Q RR
Source to Drain Diode Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovered Charge
I SD = 9A
I SD = 2.1A
I SD = 9A, dI SD /dt=100A/ μ s
I SD = 9A, dI SD /dt=100A/ μ s
-
-
-
-
-
-
-
-
1.25
1.0
27
17
V
V
ns
nC
Notes:
1: Starting T J = 25°C, L = 0.3 mH, I AS = 23 A, V DD = 27 V, V GS = 10V.
2: R θ JA is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance where the case thermal reference is defined as the solder
mounting surface of the drain pins. R θ JC is guaranteed by design while R θ JA is determined by the user’s board design.
3: R θ JA is measured with 1.0 in 2 copper on FR-4 board
FDS6692A Rev. A 2
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS6694 | MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC |
| FDS6699S | MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC |
| FDS6875 | MOSFET P-CH DUAL 20V 6A 8SOIC |
| FDS6890A | MOSFET N-CH DUAL 20V 7.5A 8SOIC |
| FDS6892A | MOSFET N-CH DUAL 20V 7.5A 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS6692A_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 30V, 9A, 11.5m?? |
| FDS6694 | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6694 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDS6694_Q | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6699S | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。