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参数资料
| 型号： | FDS6890A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 20V 7.5A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 7.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 32nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2130pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS6890ADKR |
November 1999
FDS6890A
Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench TM MOSFET
General Description
These N-Channel 2.5V specified MOSFETs are
produced using Fairchild Semiconductor's advanced
PowerTrench process that has been especially tailored
Features
? 7.5 A, 20 V. R DS(ON) = 0.018 ? @ V GS = 4.5 V
R DS(ON ) = 0.022 ? @ V GS = 2.5 V.
to minimize the on-state resistance and yet maintain
low gate charge for superior switching performance.
Applications
? DC/DC converter
? Motor drives
D2
?
?
?
?
Low gate charge (23nC typical).
Fast switching speed.
High performance trench technology for extremely
low R DS(ON ) .
High power and current handling capability.
D1
D1
D2
5
6
4
3
SO-8
pin 1
S1
G1
S2
G2
7
8
2
1
Absolute Maximum Ratings
T A =25 o C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GSS
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Ratings
20
± 8
Units
V
V
I D
Drain Current
- Continuous
(Note 1a)
7.5
A
- Pulsed
20
P D
Power Dissipation for Dual Operation
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1a)
(Note 1b)
(Note 1c)
2.0
1.6
1.0
0.9
W
T J , T stg
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
° C
Thermal Characteristics
R θ JA
R θ JC
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1)
78
40
° C/W
° C/W
90
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDS6890A
Device
FDS6890A
Reel Size
13
Tape W idth
12mm
Quantity
2500 units
? 1999 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS6890A Rev. C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS6890A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL NN SO-8 |
| FDS6892 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET |
| FDS6892A | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6892AZ | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6894 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET |
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