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参数资料
| 型号： | FDS6961A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V 3.5A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 3.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 220pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS6961ADKR |
Typical Electrical Characteristics
15
V GS = 10V
6.0V
2.5
12
9
4.5V
2
V GS = 3.5V
4.0 V
4.0V
1.5
4.5 V
5.0V
6
3.5V
6.0V
10V
1
3
3.0V
0
0
1
2
3
4
5
0.5
0
3
6
9
12
15
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics .
1.6
I D = 3.5A
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage .
0.3
I D = 3.5A
1.4
1.2
1
V GS = 10V
0.24
0.18
0.12
125°C
0.8
0.06
25°C
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
8
Figure 3. On-Resistance Variation
Temperature .
with
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
10
V DS =5.0V
T J = -55°C
V GS = 0V
6
25°C
125°C
1
T J = 125°C
25°C
4
2
0.1
0.01
-55°C
0
1
2
3
4
5
0.001
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
FDS6961A Rev.C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| C6055ALBA2-B | SWITCH ROCKER SPST 20A 277V |
| B32520C1394J | FILM CAP 0.3900UF 5% 100V |
| M2T22TXW13-EC | SWITCH ROCKER DPDT 6A 125V |
| B32672L8822J000 | CAP FILM 8200PF 2KVDC RADIAL |
| M2022TNG01-DA | SWITCH ROCKER DPDT 0.4VA 28V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS6961A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET NN CH 30V 3.5A 8SOIC 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, NN CH, 30V, 3.5A, 8SOIC 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, NN CH, 30V, 3.5A, 8SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):90mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; No. of Pins:8;RoHS Compliant: Yes |
| FDS6961A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDS6961A_F011 | 功能描述:MOSFET Dual NCh PowerTrench Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6961A_L99Z | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6961A_Q | 功能描述:MOSFET SO-8 DUAL N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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