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参数资料
| 型号： | FDS6961A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V 3.5A 8SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 3.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 220pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS6961ADKR |
Typical Electrical Characteristics
10
I D = 3.5A
V DS = 5V
500
8
6
15V
10V
200
100
50
C iss
C oss
4
2
20
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C rss
10
0
0
1
2
3
4
0.1
0.2
0.5 1 2 5 10
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
LIM
S(O
100
1m
1 0 m
100
R θ JA = 135°C/W
T A = 25°C
30
10
5
2
1
0.5
0.1
0.05
IT
N)
RD
V GS =10V
SINGLE PULSE
A
1s
10s
DC
ms
s
s
us
30
25
20
15
10
5
SINGLE PULSE
R θ JA =135 °C/W
T A = 25°C
0.01
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
30
50
0
0.01
0.1
0.5
10
50 100
300
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area .
1
SINGLE PULSE TIME (SEC)
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
0.5
D = 0.5
0.2
0.1
0.2
0.1
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA =135° C/W
0.05
0.02
0.01
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
P(pk)
t 1
t 2
0.005
0.002
0.001
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDS6961A Rev.C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| C6055ALBA2-B | SWITCH ROCKER SPST 20A 277V |
| B32520C1394J | FILM CAP 0.3900UF 5% 100V |
| M2T22TXW13-EC | SWITCH ROCKER DPDT 6A 125V |
| B32672L8822J000 | CAP FILM 8200PF 2KVDC RADIAL |
| M2022TNG01-DA | SWITCH ROCKER DPDT 0.4VA 28V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS6961A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET NN CH 30V 3.5A 8SOIC 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, NN CH, 30V, 3.5A, 8SOIC 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, NN CH, 30V, 3.5A, 8SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):90mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; No. of Pins:8;RoHS Compliant: Yes |
| FDS6961A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDS6961A_F011 | 功能描述:MOSFET Dual NCh PowerTrench Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6961A_L99Z | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6961A_Q | 功能描述:MOSFET SO-8 DUAL N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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