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参数资料
| 型号： | FDS6986AS |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrench SyncFET |
| 中文描述： | 6.5 A, 30 V, 0.029 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | SO-8 |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 177K |
| 代理商： | FDS6986AS |
FDS6986AS Rev A (X)
Typical Characteristics
V
DS
L
Figure 25. Unclamped Inductive Load Test
Circuit
Drain Current
Figure 26. Unclamped Inductive
Waveforms
Figure 30. Switching Time Waveforms
R
GE
DUT
V
GS
I
AS
0.01
V
DD
+
-
tp
0V
vary t
to obtain
required peak I
AS
V
GS
t
AV
t
P
I
AS
V
DS
V
DD
BV
DSS
Figure 29. Switching Time Test
Circuit
V
DS
R
L
R
GEN
DUT
V
DD
V
GS
Pulse Width
≤
1
μ
s
Duty Cycle
≤
0.1
%
V
GS
+
-
t
r
t
f
t
d(ON)
t
d(OFF
)
t
ON
t
OFF
Pulse Width
10%
10%
90%
10%
90%
50%
90%
50%
0V
0V
V
GS
V
DS
Figure 27. Gate Charge Test Circuit
Figure 28. Gate Charge Waveform
V
GS
Q
GS
Q
GD
Q
G(TOT)
10V
Charge, (nC)
DUT
V
DD
V
GS
I
g(REF
+
-
+
-
Same type as
1
μ
F
10
μ
F
10V
50k
F
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS6986S | Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrench SyncFET⑩ |
| FDS6990S | Dual 30V N-Channel PowerTrench SyncFET |
| FDS6990 | Dual 30V N-Channel PowerTrench SyncFET |
| FDS6990A | Dual N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET |
| FDS6990AS | Dual 30V N-Channel PowerTrench SyncFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS6986AS_NBBD005 | 功能描述:MOSFET 30V Dual SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6986S | 功能描述:MOSFET 30V Dual SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS6986S | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL NN SO-8 |
| FDS6990 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET |
| FDS6990A | 功能描述:MOSFET SO-8 DUAL N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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